TRANSPORTE DE CARGA ELÉTRICA NO SEMICONDUTOR 4H-SiC DOPADO TIPO p

Autores

DOI:

https://doi.org/10.17564/2359-4942.2020v4n1p144-159

Palavras-chave:

Semicondutores, Carbeto de silício, Mobilidade, 4H-SiC

Resumo

Neste trabalho foi realizado um estudo teórico sobre o transporte de carga no semicondutor carbeto de silício na forma 4H-SiC dopado tipo p e submetido a campos elétricos de baixa intensidade. A pesquisa foi realizado utilizando-se uma equação diferencial de movimento. A dependência do transporte de carga elétrica em função da intensidade e direção do campo elétrico aplicado e da temperatura foi analisada. Foi obtido que a maior mobilidade ocorre quando a direção do campo elétrico aplicado é perpendicular ao eixo cristalográfico c do cristal semicondutor 4H-SiC, e esta sofre uma redução de aproximadamente 67% com o aumento da temperatura de 0 até 100ºC.

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Publicado

2020-11-25

Como Citar

Vasconcelos, J. L., & Rodrigues, C. G. (2020). TRANSPORTE DE CARGA ELÉTRICA NO SEMICONDUTOR 4H-SiC DOPADO TIPO p. Interfaces Científicas - Exatas E Tecnológicas, 4(1), 144–159. https://doi.org/10.17564/2359-4942.2020v4n1p144-159

Edição

Vol. 4 N.º 1 (2020)

Secção

Artigos

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